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推薦資訊

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  IR HiRel功率IGBT –絕緣柵雙極晶體管 2021-01-06 17:10:30

  IR HiRel的IGBT產(chǎn)品選擇提供了多種不同的設(shè)備。IR-HiRel產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、牽引、工業(yè)和消費(fèi)系統(tǒng)。IR-HiRel的解決方案在正向和阻塞狀態(tài)下具有非常低的功耗，只需要較低的驅(qū)動(dòng)功率，并且具有較高的效率。IGBT可承受高達(dá)6.5 kV的電壓，并在2 kHz至50 kHz的開(kāi)關(guān)頻率下工作。

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  Onsemi安森美EliteSiC系列二極管、MOSFET及模塊的工業(yè)應(yīng)用 2025-10-29 14:02:49

  安森美EliteSiC系列是專(zhuān)為工業(yè)和能源應(yīng)用設(shè)計(jì)的碳化硅功率半導(dǎo)體解決方案，包含二極管、MOSFET、混合模塊和全SiC模塊四大類(lèi)產(chǎn)品，覆蓋650V至1700V電壓范圍。該系列產(chǎn)品具有高效率、高功率密度、低損耗等優(yōu)勢(shì)，支持175°C高溫運(yùn)行，適用于光伏逆變器、電動(dòng)汽車(chē)充電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)景。相比傳統(tǒng)硅器件，EliteSiC可顯著提升系統(tǒng)能效（3%-5%）并減小體積，同時(shí)提供出色的可靠性和散熱性能，為現(xiàn)代能源系統(tǒng)提供更優(yōu)化的功率轉(zhuǎn)換方案。