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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。特別是高臨界電場(chǎng)使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開(kāi)關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  DATEL開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 3 瓦 PT 系列 2021-12-17 17:11:49

  DATEL?開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器PT系列在8引腳SIP標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定封裝中提供3瓦隔離輸出功率。這些轉(zhuǎn)換器具備2:1的寬輸入電壓范圍，即4.5至9、9至18、18至36或36至75v。DATEL開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器PT系列轉(zhuǎn)換器提供3.3至15v范圍內(nèi)的精準(zhǔn)控制輸出電壓。輸出電壓能夠是單電壓或雙電壓。