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  MSD5xA1G系列3.3V晶體控制振蕩器(XO)Connor Winfield 2024-12-26 09:13:15

  Connor Winfield MSD5xA1G系列是密封表面貼裝3.3V晶體控制振蕩器（XO），HCMOS/TTL兼容且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，專為需低抖動(dòng)和嚴(yán)格頻率穩(wěn)定性的應(yīng)用設(shè)計(jì)；產(chǎn)品系列包括MSD54A1G（頻率容差±20ppm）等不同型號(hào)；規(guī)格參數(shù)涉及頻率范圍1.8 - 156.25 MHz、存儲(chǔ)溫度-55至125°C等；主要特性有3.3V操作、低抖動(dòng)等；操作規(guī)格涵蓋操作溫度范圍、供電電流、抖動(dòng)及相位噪聲等相關(guān)數(shù)據(jù)；輸入特性、HCMOS輸出特性分別有對(duì)應(yīng)具體參數(shù)。

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  Linear Systems 3N170/3N171單N溝道增強(qiáng)型MOSFET 2024-08-21 09:18:47

  Linear Systems的3N170和3N171是單N溝道增強(qiáng)型MOSFET，適用于快速切換和低漏源電阻應(yīng)用。它們具有低電阻（r_ds(on) ≤ 200Ω）、快速開(kāi)關(guān)時(shí)間（t_d(on) ≤ 3.0ns），并可在-55至+135°C的結(jié)溫下工作。這些器件的連續(xù)功率耗散為300mW，最大電流為30mA，最大電壓為±35V（漏到柵和柵到源）和25V（漏到源）。