Connor-Winfield XL-1A 和 XL-1C 晶體諧振器是用于基頻和泛音 AT 切割晶體的系列產(chǎn)品,采用 7.62x5.08 毫米密封陶瓷封裝。頻率范圍為 8 至 100 MHz,頻率容差和溫度穩(wěn)定性均為±50 ppm,工作溫度范圍為-10°C 至 60°C,并聯(lián)電容為 7 pF,驅(qū)動電平典型值為 0.1 mW,具有±5 ppm 的抗沖擊性和抗振性,絕緣電阻為 500 M Ohm @100Vdc ±15Vdc。產(chǎn)品特點包括基頻或泛音 AT 切晶體、±50ppm 頻率校準、±50ppm 溫度穩(wěn)定性、表面貼裝封裝、卷帶包裝,且符合 RoHS 標準/無鉛。
Interpoint cMOR系列DC-DC轉(zhuǎn)換器(單/雙通道)采用薄型封裝,功率達120W,輸入電壓15-50V,在MIL-PRF-38534 H/K類認證設(shè)施中制造,密封于鋼殼內(nèi),適用于高可靠性項目,工作溫度-55°C至+105°C。
Ampleon BLF1043是一款用于基站的10W功率放大器,工作頻率范圍HF至1000MHz。其特點包括簡易功率控制、穩(wěn)定性好、高功率增益(16.5dB)、熱穩(wěn)定性佳、寬帶操作和SMD封裝,適用于基站RF功率放大器(如GSM、EDGE、CDMA)、多載波應(yīng)用(800-1000MHz)和廣播驅(qū)動器。技術(shù)參數(shù)包括1000MHz頻率范圍、1dB增益壓縮點10W名義輸出功率、16.5dB功率增益、38%漏極效率和-25dBc三階互調(diào)失真。
Infineon的BAR88-02V硅PIN二極管專為手持設(shè)備設(shè)計,具有低正向電阻(1 mA時為1.5Ω)、低電容(0.28 pF@1 GHz)、極低信號失真和無鉛RoHS封裝。適用于無線通信(如手機、WLAN)和高速數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)(如LTE、5G),技術(shù)參數(shù)包括0.4 pF電容、單管配置、100 mA最大正向電流、0.6Ω正向電阻、80 V最大反向電壓和500 ns反向恢復(fù)時間。因其高速開關(guān)和低信號失真特性,符合綠色制造標準。
Solitron公司生產(chǎn)的JAN/JANTX/JANTXV標準小信號JFETs,提供N型和P型兩種類型,導(dǎo)通電阻小于25Ω,經(jīng)過S級等效篩選,是Vishay和Siliconix產(chǎn)品的優(yōu)越替代品。
Vanguard Electronics推出了新的共模扼流圈電感器系列,這些電感器設(shè)計用于在惡劣環(huán)境下工作,頻率覆蓋100KHz至600KHz以上。它們具有緊湊設(shè)計、多種尺寸選擇、-55°C至125°C的寬溫工作范圍和多種電感電流組合。SCMN系列還符合MIL-STD-981標準,適合軍事和高端工業(yè)應(yīng)用。
PDI L4系列石英晶體振蕩器提供密封石英晶體和多種封裝選項,支持客戶定制頻率和參數(shù)。其頻率范圍廣,穩(wěn)定性高,具有定制的頻率容差、等效串聯(lián)電阻和負載電容,老化率低,尺寸緊湊,適用于通信、醫(yī)療、工業(yè)控制、汽車和消費電子等多個領(lǐng)域。
HCME0995大電流SMT功率電感器是臺達(DELTA)公司推出的一款高性能電感器,專為高電流應(yīng)用設(shè)計。該電感器具有緊湊的表面貼裝封裝,能夠有效降低電路中的電流噪聲和電磁干擾,確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。其核心材料和繞組設(shè)計使得它在高頻率下也能保持優(yōu)良的性能,適合于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用場景。
Ampleon的BLA6G1011LS - 200RG是一款200W專為航空電子應(yīng)用設(shè)計的LDMOS功率晶體管,工作頻率在1030 MHz至1090 MHz,具有如28V電源電壓、100 mA靜態(tài)電流、200W輸出功率、20 dB功率增益、65%效率等典型性能參數(shù),還有易于電源控制、集成ESD保護、增強堅固性、高效率、優(yōu)異熱穩(wěn)定性、專為寬帶操作、內(nèi)部匹配易用、符合RoHS指令等特點優(yōu)勢。
WYO222MCMBF0KR是VISHAY生產(chǎn)的單層陶瓷電容器,由兩面鍍銀陶瓷盤構(gòu)成,連接引線為直徑0.6毫米鍍錫銅線,有直線或扭結(jié)引線兩種形式、5.0毫米或7.5毫米的引線間距,外部涂層為藍色阻燃環(huán)氧樹脂。它符合相關(guān)標準,具有高可靠性、多種特性,電容范圍1.0 nF - 12 nF、公差±20%,絕緣電阻等參數(shù)明確,額定電壓因應(yīng)用類別而異,還有不同的測試電壓,適用于多種場景。
Rogers curamik Performance基板為高性能電子基板,采用活性金屬釬焊工藝與銅焊接的Si3N4陶瓷材料,適用于汽車電力電子等需長壽命、高功率密度和高穩(wěn)定性的場景,有熱導(dǎo)率高(20°C時達90W/mK)、6種厚度選項、特定熱膨脹系數(shù)(20 - 300°C為2.5ppm/K)等特性,具備高性能應(yīng)用、高功率密度、成本與性能平衡等優(yōu)勢,還有母板尺寸、最大可用面積、銅剝離強度以及銅線寬度/間距等相關(guān)參數(shù)。
IR2104STRPBF是一款600V半橋柵極驅(qū)動器IC(可選8引腳SOIC或PDIP封裝),適用于IGBT和MOSFET驅(qū)動。它有諸多主要特點,如專為自舉操作設(shè)計的浮動通道、能在600V下完全運行、對負瞬態(tài)電壓容忍度高、不受dV/dt影響、柵極驅(qū)動供電電壓10 - 20V、有欠壓鎖定功能、兼容多種邏輯輸入、防止交叉?zhèn)鲗?dǎo)邏輯、雙通道匹配傳播延遲、內(nèi)置死區(qū)時間、高邊輸出與輸入同相、有關(guān)斷輸入可關(guān)閉雙通道等。
Broadcom BCM85667是一款高性能的16通道PCIe Gen6和CXL 3.1集成MAC和PHY重定時器,具備低功耗和低延遲特性。它支持多種數(shù)據(jù)速率,擴展信號損耗超過36 dB,并提供靈活的通道配置和多種電源模式。設(shè)備還集成了多項高級功能,如動態(tài)偽端口、I2C/SPI接口、環(huán)回測試等,采用5nm CMOS工藝,功耗僅為13瓦,適用于HPC、AI服務(wù)器等高要求場景。
DATEL HB系列DC-DC電源模塊采用標準全磚封裝,輸出功率高達350W,具備92%高效率、高功率密度和1500V直流隔離,支持70A輸出電流和18至75V寬輸入范圍,適用于-40°C至+100°C的極端溫度環(huán)境,并提供遠程開/關(guān)、遠程感應(yīng)、電壓調(diào)整及多重保護功能。
IR21844SPBF 是一款專為驅(qū)動 IGBT 和 MOSFET 設(shè)計的 600V 半橋柵極驅(qū)動器 IC,具備高電壓容限、低傳播延遲和雙通道欠壓鎖定功能,適用于電機控制和電源應(yīng)用。其主要特性包括 600V 電壓等級、1.9A 拉電流和 2.3A 灌電流輸出、多種封裝形式(14 引腳 SOIC、14 引腳 PDIP、8 引腳 SOIC、8 引腳 PDIP)、10V 至 20V 柵極驅(qū)動電壓范圍、3.3V 和 5V 輸入邏輯兼容性、雙通道欠壓鎖定功能(VCC 和 VBS)、以及較低的 di/dt 柵極驅(qū)動器設(shè)計。該器件適用于電機控制、電動工具、電源集中式逆變器解決方案和家用電器等多種應(yīng)用。
MTI-Milliren 230系列OCXO是一款緊湊、高性能的恒溫晶振,具有高熱穩(wěn)定性和低相位噪聲,適用于GPS接收器、蜂窩基站、PCS、GMS、CDMA網(wǎng)絡(luò)、加密系統(tǒng)和儀器儀表等高精度應(yīng)用,并可根據(jù)用戶需求定制性能參數(shù)。
STATEK CXOLHT振蕩器16kHz-50MHz是一款專為高溫應(yīng)用設(shè)計的高性能石英晶體振蕩器,特點包括快速啟動(4.0 ms)、高沖擊抗擾度(100,000 g)、高溫穩(wěn)定性(高達200°C)、超低功耗(32.768 kHz時小于20 μA)、低老化、采用3.2 x 1.5 mm密封陶瓷封裝。主要應(yīng)用于高溫、工業(yè)及航空電子設(shè)備、井下儀器、地下鉆探工具、地熱及測井鉆孔工具(MWD)等領(lǐng)域。
Princeton Microwave Technology的PMTA-0618-40-1.8低噪聲放大器是一款頻率范圍為6至18 GHz的高性能設(shè)備,提供高達40 dB的小信號增益和低至1.8 dB的噪聲系數(shù),適用于通信、雷達、衛(wèi)星等高要求系統(tǒng)。其特點包括50 Ohm匹配、內(nèi)部電壓調(diào)節(jié)、無條件穩(wěn)定性和密封模塊設(shè)計,確保在惡劣環(huán)境中的可靠性和卓越表現(xiàn)。
Lattice半導(dǎo)體公司的LC4256V-75TN176C是一款高性能復(fù)雜可編程邏輯器件(CPLD),屬于ispMACH 4000V/B家族,符合RoHS標準,包含16個邏輯模塊、4個全局時鐘和2個I/O Bank,程序存儲類型為EEPROM,內(nèi)置防振器,提供256個宏DB、80個宏單元、576個寄存器和128個用戶I/O,最大頻率168 MHz,速度等級75,支持3.3 V電源電壓,靜態(tài)功耗5 mA,工作溫度0至90℃,采用176引腳TQFP封裝,適用于工業(yè)控制和通信系統(tǒng)。
IRF540NPBF是一款采用TO-220封裝的N溝道功率MOSFET,額定電壓為100V,最大漏極電流33A,功耗140W,結(jié)溫175°C,具有寬安全工作區(qū)和高電流處理能力。該器件優(yōu)化了低頻應(yīng)用性能,符合JEDEC標準,廣泛應(yīng)用于直流電機驅(qū)動、逆變器、開關(guān)電源、照明系統(tǒng)和負載開關(guān)等高功率場景。
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