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NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。

一、?Y5V電容器??Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器,在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達+22%到-82%。??Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7μF電容器。??Y5V電容器的取值范圍如下表所示

封?裝?DC=25V?DC=50V??0805?0.01μF—0.39μF?0.01μF—0.1μF??1206?0.01μF—1μF?0.01μF—0.33μF??1210?0.1μF—1.5μF?0.01μF—0.47μF??2225?0.68μF—2.2μF?0.68μF—1.5μF

Y5V電容器的其他技術指標如下:??工作溫度范圍?-30℃?—?+85℃??溫度特性?+22%?—-?-82%??介質(zhì)損耗?最大?5%

二、Z5U電容器??Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍,對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大,它的老化率最大可達每10年下降5%。??盡管它的容量不穩(wěn)定,由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應,使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。

封?裝?DC=25V?DC=50V??0805?0.01μF—0.12μF?0.01μF—0.1μF??1206?0.01μF—0.33μF?0.01μF—0.27μF??1210?0.01μF—0.68μF?0.01μF—0.47μF??2225?0.01μF—1μF?0.01μF—1μF

Z5U電容器的其他技術指標如下:??工作溫度范圍?+10℃?—?+85℃??溫度特性?+22%?—-?-56%??介質(zhì)損耗?最大?4%

三、NPO電容器??NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。??NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。

封?裝?DC=50V?DC=100V??0805?0.5—1000pF?0.5—820pF??1206?0.5—1200pF?0.5—1800pF??1210?560—5600pF?560—2700pF??2225?1000pF—0.033μF?1000pF—0.018μF

NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。

四、?X7R電容器??X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到+125℃時其容量變化為15%,需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。??X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時間的變化而變化,大約每10年變化1%ΔC,表現(xiàn)為10年變化了約5%。??X7R電容器主要應用于要求不高的工業(yè)應用,而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。

封?裝?DC=50V?DC=100V??0805?330pF—0.056μF?330pF—0.012μF??1206?1000pF—0.15μF?1000pF—0.047μF??1210?1000pF—0.22μF?1000pF—0.1μF??2225?0.01μF—1μF?0.01μF—0.56μF